تشهد صناعة أشباه الموصلات طفرة تقنية غير مسبوقة، مع اقتراب شركة TSMC التايوانية من إطلاق رقائق الجيل الجديد بتقنية 2 نانومتر، والتي يتوقع أن تُحدث نقلة نوعية في أداء الهواتف الذكية واستهلاك البطارية.
ورغم أن الإنتاج الضخم لهذه الرقائق متوقع في الربع الأخير من عام 2025، إلا أن كبار المصنعين – وعلى رأسهم “أبل” و”إنفيديا” و”AMD” و “كوالكوم” و”ميدياتك” و”برودكوم” – بدأوا بالفعل الاستعدادات للحصول على هذه التقنية الحيوية مبكرًا، بحسب تقرير نشره موقع “Ctee” التايواني.
وتشير المعلومات إلى أن “أبل” تخطط لتبني هذه التقنية الثورية في سلسلة آيفون 18 المرتقبة عام 2026، بينما تبدو “إنفيديا” أكثر تحفظًا، حيث ستواصل الاعتماد على تقنية 3 نانومتر في المرحلة المقبلة.
وتكمن أهمية هذه الرقائق الجديدة في اعتمادها على بنية “Gate-All-Around” (GAA) بدلاً من التصميم التقليدي “FinFET”، ما يمنحها تفوقًا في التحكم بتدفق التيار ويقلل من تسرب الطاقة.
وتؤكد التقارير أن هذه التقنية ستُوفر أداءً أعلى بنسبة تصل إلى 15%، مع تقليل استهلاك الطاقة بنسبة 30%، وهو ما يعني بطاريات تدوم أكثر وتجربة استخدام أكثر سلاسة.
وبحسب مصادر صناعية، بدأت “TSMC” فعليًا الإنتاج التجريبي في مصنعها بمدينة باوشان، على أن يبدأ الإنتاج الضخم في الربع الرابع من 2025 بطاقة 30 ألف رقاقة شهريًا.
كما سينضم مصنع كاوهسيونغ إلى خط الإنتاج مطلع 2026، مما يعزز الطاقة الإنتاجية لتصل إلى 120-130 ألف رقاقة شهريًا بحلول 2027.
هذه القفزة التكنولوجية تفتح الباب أمام جيل جديد من الأجهزة الذكية ذات الكفاءة العالية والأداء الاستثنائي، وتضع العالم على أعتاب عصر جديد في صناعة الإلكترونيات المحمولة.
